পণ্য

বাড়ি > পণ্য > আইজিবিটি মডিউল ৩৪ মিমি > 150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

বিভাগসমূহ

আইজিবিটি ডিস্ক্রিট

(2)

যোগাযোগ

যোগাযোগ: Mr. Zhou

টেলিফোন: 86-1360-528-8329

যোগাযোগ করুন

আমাদের মেইল করুন

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: 150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: 150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
Rating: 4.9 (149 reviews)

পণ্যের বিবরণ

মডেল নম্বার: SPS150B12G3M4

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

সেরা দাম পান

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের বর্ণনা

বিশেষভাবে তুলে ধরা: 
                                                হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm, 150A উচ্চ ক্ষমতা IGBT মডিউল, 150A আইজিবিটি মডিউল 34mm
                              

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

সলিড পাওয়ার-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

১২০০ ভোল্ট ১৫০ এ আইজিবিটি অর্ধেক সেতু মডিউল

১২০০ ভোল্ট ১৫০ এ আইজিবিটি

বৈশিষ্ট্যঃ

□ 1200 ভোল্ট ট্রেঞ্চ + ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি

□ দ্রুত এবং নরম রিভার্স রিকভারি সহ ফ্রিহুইলিং ডায়োড

□ V_{সিই ((স্যাট)}ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ

□ কম স্যুইচিং ক্ষতি

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনঃ

□ মোটর/সার্ভো ড্রাইভ

□ উচ্চ শক্তির রূপান্তরকারী

□ ইউপিএস

□ ফোটোভোলটাইক

প্যাকেজ

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ			ইউনিট
বিচ্ছিন্নতা পরীক্ষার ভোল্টেজ	ভিসোল	RMS, f = 50 Hz, t = 1 মিনিট		4.0			কেভি
মডিউল বেসপ্লেটের উপাদান				ক
অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা		(ক্লাস ১, আইইসি ৬১১৪০) বেসিক আইসোলেশন (ক্লাস 1, আইইসি 61140)		আল₂ও₃
সরে যাওয়ার দূরত্ব	ড্রিপ	হিটসিঙ্ক টার্মিনাল		17.0			মিমি
	ড্রিপ	টার্মিনালে টার্মিনালে		20.0
ছাড়পত্র	dশুদ্ধ	হিটসিঙ্ক টার্মিনাল		17.0			মিমি
	dশুদ্ধ	টার্মিনালে টার্মিনালে		9.5
তুলনামূলক ট্র্যাকিং সূচক	সিটিআই			>২০০

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ			ইউনিট
				মিনিট।	টাইপ।	ম্যাক্স.
স্ট্রাইড ইন্ডাক্ট্যান্স মডিউল	আইএসসিই				20		এনএইচ
মডিউল সীসা প্রতিরোধের, টার্মিনাল - চিপ	আরসিসি+ইই		টি_সি=২৫°সি		0.65		mΩ
সংরক্ষণের তাপমাত্রা	টিএসটিজি			-৪০		125	°C
মডিউল মাউন্ট করার জন্য মাউন্ট টর্ক	এম৬			3.0		5.0	Nm
টার্মিনাল সংযোগ টর্ক	এম৫			2.5		5.0	Nm
ওজন	জি				160		জি

আইজিবিটি

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ	ইউনিট
সংগ্রাহক-নির্গতকারী ভোল্টেজ	ভিসিইএস		টি_vj=২৫°সি	1200	V
সর্বাধিক গেট-এমিটার ভোল্টেজ	ভিজিইএস			±20	V
গেইট-ইমিটার ভোল্টেজ	ভিজিইএস	t_পি≤10μs,D=0.01		±30	V
ক্রমাগত ডিসি সংগ্রাহক বর্তমান	আমি_সি		টি_সি=২৫°সি	200	এ
ক্রমাগত ডিসি সংগ্রাহক বর্তমান	আমি_সি		টি_সি=১০০°সি	150	এ
পলসড কলক্টর বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধ_jmax	আইসিপুলস			300	এ
শক্তি অপচয়	Ptot			600	ডব্লিউ

বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ			ইউনিট
পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মিনিট।	টাইপ।	ম্যাক্স.	ইউনিট
সংগ্রাহক-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ	ভিসিই (স্যাট)	আমি_সি=১৫০এ, ভি_{জেনেরিক}=১৫ ভি	টি_vj=২৫°সি		1.50	1.80	V
			টি_vj=১২৫°সি		1.65
			টি_vj=১৫০°সি		1.70
গেট থ্রেশলেজ ভোল্টেজ	VGE (th)	V_সিই=V_{জেনেরিক}, আমি_সি=6mA		5.0	5.8	6.5	V
সংগ্রাহক-নির্গতকারী বন্ধ বর্তমান	আইসিইএস	V_সিই=১২০০ ভোল্ট, ভি_{জেনেরিক}=0V	টি_vj=২৫°সি			100	μA
সংগ্রাহক-নির্গতকারী বন্ধ বর্তমান	আইসিইএস	V_সিই=১২০০ ভোল্ট, ভি_{জেনেরিক}=0V	টি_vj=১৫০°সি			5	mA
গেট-ইমিটার ফুটো প্রবাহ	আইজিইএস	V_সিই=0V,V_{জেনেরিক}=±20V, T_vj=২৫°সি		-২০০		200	nA
গেট চার্জ	Q_জি	V_সিই=৬০০ ভোল্ট, আই_সি=১৫০ এ, ভি_{জেনেরিক}=±15V			1.8		μC
ইনপুট ক্যাপাসিটি	সিইএস	V_সিই=২৫ ভোল্ট, ভি_{জেনেরিক}=0V, f =100kHz			30.0		nF
আউটপুট ক্ষমতা	কোস				0.95
বিপরীত স্থানান্তর ক্ষমতা	ক্রেস				0.27
অভ্যন্তরীণ গেট রেজিস্টার	RGint	টি_vj=২৫°সি			2		Ω
চালু করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড	টিডি (অন)	V_সিসি=৬০০ ভোল্ট,আই_সি=১৫০এ আর_জি=3.3Ω, ভি_{জেনেরিক}=±15V	টি_vj=২৫°সি		128		এনএস
			টি_vj=১২৫°সি		140		এনএস
			টি_vj=১৫০°সি		140		এনএস
উত্থান সময়, আনয়ন লোড	t_r		টি_vj=২৫°সি		48		এনএস
			টি_vj=১২৫°সি		52		এনএস
			টি_vj=১৫০°সি		52		এনএস
বন্ধ করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড	টিডি (অফ)	V_সিসি=৬০০ ভোল্ট,আই_সি=১৫০এ আর_জি=3.3Ω, ভি_{জেনেরিক}=±15V	টি_vj=২৫°সি		396		এনএস
			টি_vj=১২৫°সি		448		এনএস
			টি_vj=১৫০°সি		460		এনএস
পতনের সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড	t_এফ		টি_vj=২৫°সি		284		এনএস
			টি_vj=১২৫°সি		396		এনএস
			টি_vj=১৫০°সি		424		এনএস
টার্নিং এনার্জি লস প্রতি ইমপ্লান্ট	ইওন	V_সিসি=৬০০ ভোল্ট,আই_সি=১৫০এ আর_জি=3.3Ω, ভি_{জেনেরিক}=±15V	টি_vj=২৫°সি		4.9		এমজে
			টি_vj=১২৫°সি		7.6		এমজে
			টি_vj=১৫০°সি		8.3		এমজে
প্রতি ধাক্কায় শক্তির ক্ষতি বন্ধ করুন	এফ		টি_vj=২৫°সি		16.1		এমজে
			টি_vj=১২৫°সি		21.7		এমজে
			টি_vj=১৫০°সি		22.5		এমজে
এসসি ডেটা	আইএসসি	V_{জেনেরিক}≤15V, V_সিসি= ৮০০ ভোল্ট	tp≤10μs T_vj=১৫০°সি			650	এ
আইজিবিটি তাপীয় প্রতিরোধের,জংশন-কেস	RthJC					0.25	কে / ডাব্লু
অপারেটিং তাপমাত্রা	TJop			-৪০		150	°C

ডায়োড

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ	ইউনিট
পুনরাবৃত্তিযোগ্য বিপরীত ভোল্টেজ	ভিআরআরএম		টি_vj=২৫°সি	1200	V
ধ্রুবক ডিসি সামনের প্রবাহ	আমি_এফ			150	এ
ডায়োড পালসড বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধ_Jmax	আইএফপুলস			300	এ

বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ

পয়েন্ট	প্রতীক	শর্ত		মূল্যবোধ			ইউনিট
				মিনিট।	টাইপ।	ম্যাক্স.
সামনের ভোল্টেজ	V_এফ	আমি_এফ=১৫০ এ, ভি_{জেনেরিক}=0V	টি_vj=২৫°সি		2.30	2.70	V
			টি_vj=১২৫°সি		2.50
			টি_vj=১৫০°সি		2.50
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়	trr	আমি_এফ=১৫০ এ ডিআই_এফ/dt=-3300A/μs (T)_vj=১৫০°সি) ভি_R=৬০০ ভোল্ট, V_{জেনেরিক}=-১৫ ভোল্ট	টি_vj=২৫°সি		94		এনএস
			টি_vj=১২৫°সি		117
			টি_vj=১৫০°সি		129
সর্বোচ্চ বিপরীত পুনরুদ্ধার বর্তমান	আইআরআরএম		টি_vj=২৫°সি		151		এ
			টি_vj=১২৫°সি		166
			টি_vj=১৫০°সি		170
বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ	QRR		টি_vj=২৫°সি		15.6		μC
			টি_vj=১২৫°সি		23.3
			টি_vj=১৫০°সি		24.9
পালস প্রতি বিপরীত পুনরুদ্ধার শক্তি ক্ষতি	ইরেক		টি_vj=২৫°সি		6.7		এমজে
			টি_vj=১২৫°সি		10.9
			টি_vj=১৫০°সি		11.9
ডায়োড থার্মাল রেসিস্ট্যান্স, জংশন কেস	RthJCD					0.46	কে / ডাব্লু
অপারেটিং তাপমাত্রা	TJop			-৪০		150	°C

আউটপুট বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) আউটপুট চরিত্রগত (typical)

আমি_সি= f (V_সিই) I_সি= f (V_সিই) টি_vj= ১৫০°সি

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

আইজিবিটি

স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ)

আমি_সি= f (V_{জেনেরিক}) E = f (R_জি)

V_সিই= ২০ ভোল্ট_{জেনেরিক}= ±15V, I_সি= ১৫০ এ, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 6

আইজিবিটি RBSOA

পরিবর্তন ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ) বিপরীত পক্ষপাতিত্ব নিরাপদ কাজ করা এলাকা ((RBSOA)

E = f (I_সি) I_সি=f (V_সিই)

V_{জেনেরিক}= ±15V, R_জি= ৩.৩Ω, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট_{জেনেরিক}= ±15V, R_গফ= ৫.১Ω, টি_vj= ১৫০°সি

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 7

সাধারণ ধারণক্ষমতা যেমন a ফাংশন এর সংগ্রাহক-প্রেরক ভোল্টেজ গেট চার্জ (সাধারণ)

C = f (V)_সিই) V_{জেনেরিক}= f (Q_জি)

f = 100 kHz, V_{জেনেরিক}= 0V I_সি= ১৫০ এ, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 8

আইজিবিটি ফরওয়ার্ড বৈশিষ্ট্য এর ডায়োড (সাধারণ)

আইজিবিটি ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন নাড়ি প্রস্থআমি_এফ= f (V_এফ)

Zth ((j-c) = f (t)

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 9

স্যুইচিং ক্ষতি ডায়োড (সাধারণ) স্যুইচিংক্ষতি ডায়োড (সাধারণ)

ই_রিচ= f (R_জি) E_রিচ= f (I_এফ)

আমি_এফ= ১৫০ এ, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট আর_জি= ৩.৩Ω, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 10

ডায়োড ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়ি প্রস্থ

Zth ((j-c) = f (t)

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 11

"1200V 150A IGBT Half Bridge Module" একটি অর্ধ-ব্রিজ কনফিগারেশনে দুটি IGBT একত্রিত করে। এটি মাঝারি থেকে উচ্চ শক্তির প্রয়োজনের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত,ভোল্টেজ (1200V) এবং বর্তমান (150A) এর উপর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রদান করেনির্ভরযোগ্য অপারেশন জন্য কার্যকর শীতলতা অপরিহার্য, এবং বিস্তারিত স্পেসিফিকেশন প্রস্তুতকারকের ডেটা শীট পাওয়া যাবে।

সার্কিট চিত্র শিরোনাম

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

প্যাকেজ রূপরেখা

মাত্রা (মিমি)

মিমি

Tags:

আইজিবিটি মডিউল ৩৪ মিমি

আইজিবিটি মডিউল 62mm

IGBT মডিউল EconoDual3

আইজিবিটি মডিউল ইজিপিআইএম

আইজিবিটি মডিউল ইকোনোপ্যাক

আইজিবিটি মডিউল ইকোনোপিম

অটোমোটিভ মডিউল

হাইব্রিড সিআইসি ডিস্ক্রিট

MOSFET বিচ্ছিন্ন

আইজিবিটি ডিস্ক্রিট

150A হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

হাই পাওয়ার আইজিবিটি মডিউল 34mm

150A উচ্চ ক্ষমতা IGBT মডিউল

150A আইজিবিটি মডিউল 34mm

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ

ব্রেক হেলপার মডিউল,

অটোমোটিভ আইজিবিটি মডিউল,

আইজিবিটি হেলপার মডিউল

75A 1200V IGBT সেমি ব্রিজ মডিউল সলিড পাওয়ার-DS-SPS150B17G3-S04010005

অর্ধ ব্রিজ পাওয়ার মডিউল IGBT 1200V 75A সলিড পাওয়ার-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-20

আইজিবিটি মোসফেট অর্ধ ব্রিজ মডিউল 1200 ভোল্ট 50 এ সলিড পাওয়ার-ডিএস-এসপিএস 50 বি 12 জি 3 এইচ 6-এস 04010020 ভি -30

1700 ভোল্ট 75 এ এইচ ব্রিজ আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস 75 বি 17 জি 3-এস 04010014 ভি 10.

OEM 1200V 100A H ব্রিজ মোসফেট মডিউল DS-SPS100B12G3H6-S04010019

কাস্টম অটোমোটিভ আইজিবিটি মডিউল 34 মিমি ডিএস-এসপিএস 100 বি 17 জি 3 আর 8-এস 04010015 ভি 10