OEM 1200V 100A H ব্রিজ মোসফেট মডিউল DS-SPS100B12G3H6-S04010019

সলিড পাওয়ার-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

১২০০ ভোল্ট ১০০এ আইজিবিটি অর্ধেক সেতু মডিউল

১২০০ ভোল্ট ১০০এ আইজিবিটি 

বৈশিষ্ট্যঃ

□ 1200 ভোল্ট ট্রেঞ্চ + ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি

□ দ্রুত এবং নরম রিভার্স রিকভারি সহ ফ্রিহুইলিং ডায়োড

□ V_{সিই ((স্যাট)}ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ

□ কম স্যুইচিং ক্ষতি

সাধারণঅ্যাপ্লিকেশনঃ 

□ ঢালাই

আউটপুট বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) আউটপুট চরিত্রগত (typical)

আমি_সি= f (V_সিই) I_সি= f (V_সিই) টি_vj= ১৫০°সি

                                                                                                                   আইজিবিটি

স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ)

আমি_সি= f (V_{জেনেরিক}) E = f (R_জি)

V_সিই= ২০ ভোল্ট_{জেনেরিক}= ±15V, I_সি= 30A, V_সিই= ৬০০ ভোল্ট

আইজিবিটি আরবিএসওএ

 পরিবর্তন ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ) বিপরীত পক্ষপাতিত্ব নিরাপদ কাজ করা এলাকা ((RBSOA)

E = f (I_সি) I_সি=f (V_সিই)

V_{জেনেরিক}= ±15V, R_জি= ১০Ω, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট_{জেনেরিক}= ±15V, R_গফ= 10Ω, T_vj= ১৫০°সি

সাধারণ ধারণক্ষমতা যেমন a ফাংশন এর সংগ্রাহক-প্রেরক ভোল্টেজ গেট চার্জ(সাধারণ)

C = f (V)_সিই) V_{জেনেরিক}= f (Q_জি)

f = 100 kHz, V_{জেনেরিক}= 0V I_সি= ১০০ এ, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট

আইজিবিটি

আইজিবিটি ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়ি প্রস্থ বৈশিষ্ট্য এর ডায়োড (সাধারণ)

Zth ((j-c) = f (t) I_এফ= f (V_এফ)

   পরিবর্তন ক্ষতি ডায়োড (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি ডায়োড (সাধারণ)

ই_রিচ= f (R_জি) E_রিচ= f (I_এফ)

আমি_এফ= 30A, V_সিই= ৬০০ ভোল্ট আর_জি= ১০Ω, ভি_সিই= ৬০০ ভোল্ট

ডায়োড ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়িপ্রস্থ

Zth ((j-c) = f (t)