Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
পণ্য
পণ্য
বাড়ি > পণ্য > আইজিবিটি ডিস্ক্রিট > কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM

পণ্যের বিবরণ

মডেল নম্বার: SPS40G12E3S

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

সেরা দাম পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

স্বল্প স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি

,

আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM

,

কম স্যুইচিং ক্ষতি IGBT ট্রানজিস্টর মডিউল

সংগ্রাহক ইমিটার ক্যাপাসিটি:
170 পিএফ
কনফিগারেশন:
একক
বর্তমান কালেক্টর ক্রমাগত:
50 ক
বর্তমান সংগ্রাহক পালসযুক্ত:
200 এ
প্রবেশ মুল্য:
৮০ এনসি
মাউন্ট শৈলী:
গর্তের মধ্য দিয়ে
অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস:
-55 থেকে 150 ডিগ্রি সেলসিয়াস
প্যাকেজের ধরন:
TO-247
প্যাকেজ/কেস:
TO-247-3
রিভার্স রিকভারি টাইম:
50 এনএস
ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:
এন-চ্যানেল
ভোল্টেজ কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন ম্যাক্স:
1200 ভি
ভোল্টেজ কালেক্টর ইমিটার স্যাচুরেশন ম্যাক্স:
2.2 ভি
ভোল্টেজ গেট ইমিটার থ্রেশহোল্ড সর্বোচ্চ:
5 ভি
পণ্যের নাম:
igbt ট্রানজিস্টর মডিউল, sic igbt মডিউল, ট্রানজিস্টর igbt
সংগ্রাহক ইমিটার ক্যাপাসিটি:
170 পিএফ
কনফিগারেশন:
একক
বর্তমান কালেক্টর ক্রমাগত:
50 ক
বর্তমান সংগ্রাহক পালসযুক্ত:
200 এ
প্রবেশ মুল্য:
৮০ এনসি
মাউন্ট শৈলী:
গর্তের মধ্য দিয়ে
অপারেটিং তাপমাত্রা বিন্যাস:
-55 থেকে 150 ডিগ্রি সেলসিয়াস
প্যাকেজের ধরন:
TO-247
প্যাকেজ/কেস:
TO-247-3
রিভার্স রিকভারি টাইম:
50 এনএস
ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:
এন-চ্যানেল
ভোল্টেজ কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন ম্যাক্স:
1200 ভি
ভোল্টেজ কালেক্টর ইমিটার স্যাচুরেশন ম্যাক্স:
2.2 ভি
ভোল্টেজ গেট ইমিটার থ্রেশহোল্ড সর্বোচ্চ:
5 ভি
পণ্যের নাম:
igbt ট্রানজিস্টর মডিউল, sic igbt মডিউল, ট্রানজিস্টর igbt
কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM

সলিড পাওয়ার-DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0

 

১২০০ ভোল্ট ৪০এ আইজিবিটি বিচ্ছিন্ন

 

১২০০ ভোল্ট ৪০ এ আইজিবিটি 

 

 

সাধারণ বর্ণনা  

 

SOLIDPOWER IGBT Discrete কম সুইচিং ক্ষতির পাশাপাশি উচ্চ RBSOA ক্ষমতা প্রদান করে। এগুলি শিল্প ইউপিএস, চার্জার, শক্তি সঞ্চয়স্থান,তিন স্তরের সোলার স্ট্রিং ইনভার্টারইত্যাদি।

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 0

 

 

বৈশিষ্ট্য:

▪ ১২০০ ভোল্ট ট্রেঞ্চ ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি

 

▪ সিআইসি এসবিডি ফ্রিহুইলিং ডায়োড

 

▪ স্যুইচিংয়ের ক্ষেত্রে কম ক্ষতি

 

▪ গেট চার্জ কম

 

 

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন:

▪ ইন্ডাস্ট্রিয়াল ইউপিএস

 

▪ চার্জার

 

▪ শক্তি সঞ্চয়

 

▪ ইনভার্টার

 

▪ ঢালাই

 

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 1

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 2

আইজিবিটি আইজিবিটি

আউটপুট বৈশিষ্ট্য IGBT আউটপুট বৈশিষ্ট্য IGBT

IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C

 

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 3

 

FRD IGBT

আউটপুট বৈশিষ্ট্য FRD সংগ্রাহক-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ IGBT

IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 4

 

FRD IGBT

সংগ্রাহক-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ FRD গেট-এমিটার থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ IGBT

VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)

 

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 5

 

FRD IGBT

আউটপুট বৈশিষ্ট্য FRD সংগ্রাহক বর্তমান IGBT

IF=f ((VF) IC=f ((TC)

VGE≥15V,Tvj≤175°C

 

 

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 6

গেট চার্জ বৈশিষ্ট্য ক্যাপাসিট্যান্স বৈশিষ্ট্য

VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ

VGE =15V, IC=40A

                                                                        

 কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 7

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং টাইম IGBT স্যুইচিং টাইম IGBT

ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 8

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং টাইম IGBT স্যুইচিং টাইম IGBT

ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C

VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 9

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং সময় IGBT স্যুইচিং ক্ষতি IGBT

ts=f (Tj) E=f (Tj)

VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 10

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং ক্ষতি IGBT স্যুইচিং ক্ষতি IGBT

E=f (IC) E=f (IC)

VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=175°C

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 11

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং ক্ষতি IGBT স্যুইচিং ক্ষতি IGBT

E=f (RG) E=f (RG)

VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=25°C VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=175°C

 

  কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 12

 

আইজিবিটি আইজিবিটি

স্যুইচিং ক্ষতি IGBT স্যুইচিং ক্ষতি IGBT

E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C

VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 13

 

আইজিবিটি

ফরোয়ার্ড বিয়াস এসওএ ট্রানজিশিয়ান তাপীয় প্রতিরোধের আইজিবিটি

TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)

 

 

কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 14

 

এটি একটি স্বতন্ত্র আইসোলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি) যার ভোল্টেজ নাম্বার ১২০০ ভি এবং বর্তমান নাম্বার ৪০ এ।উচ্চ ভোল্টেজ এবং স্রোতের সুইচিংয়ের জন্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে আইজিবিটিগুলি সাধারণত ব্যবহৃত হয়স্পেসিফিকেশনগুলি ইঙ্গিত দেয় যে এই বিশেষ আইজিবিটি সর্বোচ্চ ভোল্টেজ 1200V এবং সর্বোচ্চ বর্তমান 40A পরিচালনা করতে পারে।IGBT এর নির্ভরযোগ্যতা এবং কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার জন্য উপযুক্ত ড্রাইভ সার্কিট্রি এবং তাপ অপসারণ বিবেচনা গুরুত্বপূর্ণ.

 

 

সার্কিট চিত্র শিরোনাম 

 

    

    কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 15

 

 

 

 

প্যাকেজ রূপরেখা

 

 

     কম স্যুইচিং ক্ষতি ইনফিনিয়ন ডিস্ক্রিট আইজিবিটি ট্রানজিস্টর মডিউল OEM 16