Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
পণ্য
পণ্য
বাড়ি > পণ্য > আইজিবিটি ডিস্ক্রিট > 1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10

পণ্যের বিবরণ

মডেল নম্বার: SPS03NM15E3

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

সেরা দাম পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

১৫০০ ভোল্ট ৩ এ আইজিবিটি ডিস্ক্রিট

,

1500 ভোল্ট 3A সিক আইজিবিটি মডিউল

,

এন চ্যানেল সিক আইজিবিটি মডিউল

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10

সলিড পাওয়ার-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

1500 ভোল্ট 3A এন-চ্যানেল এমওএস ডিস্ক্রিট

 

১৫০০ ভোল্ট ৩ এ MOSFET 

 

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 0

 

 

বৈশিষ্ট্য:

  • দ্রুত পরিবর্তন
  • কম ON প্রতিরোধের
  • কম গেট চার্জ কমিয়ে নিন স্যুইচিং ক্ষতি
  • দ্রুত রিকভারি বডি ডায়োড

 

 

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন:

  • অ্যাডাপ্টার
  • চার্জার
  • এসএমপিএস স্ট্যান্ডবাই পাওয়ার

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 1

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 2

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 3

 

MOSFET MOSFET

আউটপুট বৈশিষ্ট্য MOSFET স্থানান্তর বৈশিষ্ট্য MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 4

প্রতিরোধের উপর নরমালাইজড ড্রেন সোর্স

RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1.3A VGS=10V VGS=10V

 

 1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 5

 

MOSFET

ডায়োড গেট চার্জ বৈশিষ্ট্য MOSFET এর ফরওয়ার্ড বৈশিষ্ট্য

আইডিএস=f ((ভিডিএস) ভিজিএস=f ((কিউজি)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 6

 

MOSFET

ক্ষমতা বৈশিষ্ট্য MOSFET সর্বোচ্চ শক্তি ছড়িয়ে

C=f ((VDS) PD=f ((TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 7

সর্বাধিক ড্রেন স্ট্রিম ফরওয়ার্ড বায়াসড সেফ অপারেটিং এরিয়া (FBSOA)

ID=f ((TC)

 

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 8

 

MOSFET

অস্থায়ী তাপ প্রতিরোধের MOSFET

ZthJC=f (t)

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 9

 

এটি একটি ডিস্ক্রিট এন-চ্যানেল ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি) যার ভোল্টেজ নাম্বার ১৫০০ভি এবং বর্তমান নাম্বার ৩এ।এন-চ্যানেল এমওএসএফইটিগুলি বিভিন্ন বৈদ্যুতিন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সাধারণভাবে ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস1500V ডিভাইসটি পরিচালনা করতে পারে এমন সর্বাধিক ভোল্টেজ নির্দেশ করে, যখন 3A সর্বাধিক বর্তমানের প্রতিনিধিত্ব করে যা এটি গ্রহণ করতে পারে।বিশেষ প্রয়োগে, সঠিক ড্রাইভ সার্কিট এবং তাপ অপসারণ বিবেচনা করা উচিত MOSFET এর নির্ভরযোগ্যতা এবং কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করার জন্য।

 

প্যাকেজ রূপরেখা 

 

 

1500 ভোল্ট 3A আইজিবিটি ডিসক্রিটেড এন চ্যানেল সিস আইজিবিটি মডিউল ডিএস-এসপিএস03এনএম15ই3-এস03050001 ভি 10 10