OEM আইজিবিটি পাওয়ার মডিউল 1200V 300A অর্ধ ব্রিজ মডিউল DS-SPS300B12G6M4-S04020025
সলিড পাওয়ার-DS-SPS300B12G6M4-S04020025
১২০০ ভোল্ট ৩০০ এ আইজিবিটি অর্ধেক সেতু মডিউল
□ 1200 ভোল্ট ট্রেঞ্চ + ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি
□ দ্রুত এবং নরম রিভার্স রিকভারি সহ ফ্রিহুইলিং ডায়োড
□ Vসিই ((স্যাট)ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ
□ কম স্যুইচিং ক্ষতি
□ ইন্ডাক্টিভ হিটিং
□ ঢালাই
□ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশন
প্যাকেজ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
বিচ্ছিন্নতা পরীক্ষার ভোল্টেজ
|
ভিসোল |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 মিনিট |
4.0
|
কেভি
|
|
মডিউল বেসপ্লেটের উপাদান
|
|
|
ক
|
|
|
অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা
|
|
(ক্লাস ১, আইইসি ৬১১৪০)
বেসিক আইসোলেশন (ক্লাস 1, আইইসি 61140)
|
আল2ও3
|
|
|
সরে যাওয়ার দূরত্ব
|
ড্রিপ |
হিটসিঙ্ক টার্মিনাল |
29.0 |
মিমি
|
| ড্রিপ |
টার্মিনালে টার্মিনালে |
23.0 |
|
ছাড়পত্র
|
dশুদ্ধ |
হিটসিঙ্ক টার্মিনাল |
23.0 |
মিমি
|
| dশুদ্ধ |
টার্মিনালে টার্মিনালে |
11.0 |
|
তুলনামূলক ট্র্যাকিং সূচক
|
সিটিআই |
|
> ৪০০
|
|
| |
|
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
স্ট্রাইড ইন্ডাক্ট্যান্স মডিউল
|
আইএসসিই |
|
|
20
|
|
এনএইচ
|
|
মডিউল সীসা প্রতিরোধের, টার্মিনাল - চিপ
|
আরসিসি+ইই |
|
টিসি=২৫°সি |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
সংরক্ষণের তাপমাত্রা
|
টিএসটিজি |
|
-৪০
|
|
125
|
°C |
|
মডিউল মাউন্ট করার জন্য মাউন্ট টর্ক
|
এম৬ |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
টার্মিনাল সংযোগ টর্ক
|
এম৬ |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
ওজন
|
জি |
|
|
320
|
|
জি
|
আইজিবিটি
সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
সংগ্রাহক-নির্গতকারী ভোল্টেজ
|
ভিসিইএস |
|
টিvj=২৫°সি |
1200
|
V
|
|
সর্বাধিক গেট-এমিটার ভোল্টেজ
|
ভিজিইএস |
|
±20
|
V
|
|
গেইট-ইমিটার ভোল্টেজ
|
ভিজিইএস |
tপি≤10μs,D=0.01 |
±30
|
V
|
|
ক্রমাগত ডিসি সংগ্রাহক বর্তমান
|
আমিসি |
|
টিসি=২৫°সি |
400 |
এ
|
| টিসি=১০০°সি |
300 |
|
পলসড কলক্টর বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধjmax
|
আইসিপুলস |
|
600
|
এ
|
|
শক্তি অপচয়
|
Ptot |
|
1500
|
ডব্লিউ
|
বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
সংগ্রাহক-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ
|
ভিসিই (স্যাট) |
আমিসি=৩০০এ, ভিজেনেরিক=১৫ ভি |
টিvj=২৫°সি |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| টিvj=১২৫°সি |
|
1.65 |
|
| টিvj=১৫০°সি |
|
1.70 |
|
|
গেট থ্রেশলেজ ভোল্টেজ
|
VGE (th) |
Vসিই=Vজেনেরিক, আমিসি=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
সংগ্রাহক-নির্গতকারী বন্ধ বর্তমান
|
আইসিইএস |
Vসিই=১২০০ ভোল্ট, ভিজেনেরিক=0V |
টিvj=২৫°সি |
|
|
100 |
μA |
| টিvj=১৫০°সি |
|
|
5 |
mA |
|
গেট-ইমিটার ফুটো প্রবাহ
|
আইজিইএস |
Vসিই=0V,Vজেনেরিক=±20V, Tvj=২৫°সি |
-২০০ |
|
200 |
nA |
|
গেট চার্জ
|
Qজি |
Vসিই=৬০০ ভোল্ট, আইসি=৩০০ এ, ভিজেনেরিক=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
ইনপুট ক্যাপাসিটি
|
সিইএস |
Vসিই=২৫ ভোল্ট, ভিজেনেরিক=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
আউটপুট ক্ষমতা
|
কোস |
|
1.89 |
|
|
বিপরীত স্থানান্তর ক্ষমতা
|
ক্রেস |
|
0.54 |
|
|
অভ্যন্তরীণ গেট রেজিস্টার
|
RGint |
টিvj=২৫°সি |
|
1.2 |
|
Ω |
|
চালু করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
টিডি (অন) |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=৩০০এ আরজি=1.8Ω, ভিজেনেরিক=±15V |
টিvj=২৫°সি |
|
130 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
145 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
145 |
|
এনএস |
|
উত্থান সময়, আনয়ন লোড
|
tr |
টিvj=২৫°সি |
|
60 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
68 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
68 |
|
এনএস |
|
বন্ধ করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
টিডি (অফ) |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=৩০০এ আরজি=1.8Ω, ভিজেনেরিক=±15V |
টিvj=২৫°সি |
|
504 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
544 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
544 |
|
এনএস |
|
পতনের সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
tএফ |
টিvj=২৫°সি |
|
244 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
365 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
370 |
|
এনএস |
|
টার্নিং এনার্জি লস প্রতি ইমপ্লান্ট
|
ইওন |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=৩০০এ আরজি=1.8Ω, ভিজেনেরিক=±15V |
টিvj=২৫°সি |
|
7.4 |
|
এমজে |
| টিvj=১২৫°সি |
|
11.1 |
|
এমজে |
| টিvj=১৫০°সি |
|
11.6 |
|
এমজে |
|
প্রতি ধাক্কায় শক্তির ক্ষতি বন্ধ করুন
|
এফ |
টিvj=২৫°সি |
|
32.0 |
|
এমজে |
| টিvj=১২৫°সি |
|
39.5 |
|
এমজে |
| টিvj=১৫০°সি |
|
41.2 |
|
এমজে |
|
এসসি ডেটা
|
আইএসসি |
Vজেনেরিক≤15V, Vসিসি=600V |
tp≤10μs Tvj=১৫০°সি |
|
|
1350
|
এ
|
|
আইজিবিটি তাপীয় প্রতিরোধের,জংশন-কেস
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
কে / ডাব্লু |
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
TJop |
|
-৪০ |
|
150 |
°C |
ডায়োড
সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
পুনরাবৃত্তিযোগ্য বিপরীত ভোল্টেজ
|
ভিআরআরএম |
|
টিvj=২৫°সি |
1200
|
V
|
|
ধ্রুবক ডিসি সামনের প্রবাহ
|
আমিএফ |
|
300
|
এ
|
|
ডায়োড পালসড বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধJmax
|
আইএফপুলস |
|
600 |
বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
সামনের ভোল্টেজ
|
Vএফ |
আমিএফ=৩০০ এ, ভিজেনেরিক=0V |
টিvj=২৫°সি |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| টিvj=১২৫°সি |
|
2.50 |
|
| টিvj=১৫০°সি |
|
2.50 |
|
|
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়
|
trr |
আমিএফ=৩০০এ
ডিআইএফ/dt=-4900A/μs (T)vj=১৫০°সি) ভিR=৬০০ ভোল্ট,
Vজেনেরিক=-১৫ ভোল্ট
|
টিvj=২৫°সি |
|
90 |
|
এনএস
|
| টিvj=১২৫°সি |
120 |
| টিvj=১৫০°সি |
126 |
|
সর্বোচ্চ বিপরীত পুনরুদ্ধার বর্তমান
|
আইআরআরএম |
টিvj=২৫°সি |
|
212 |
|
এ
|
| টিvj=১২৫°সি |
245 |
| টিvj=১৫০°সি |
250 |
|
বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ
|
QRR |
টিvj=২৫°সি |
|
19 |
|
μC
|
| টিvj=১২৫°সি |
27 |
| টিvj=১৫০°সি |
35 |
|
পালস প্রতি বিপরীত পুনরুদ্ধার শক্তি ক্ষতি
|
ইরেক |
টিvj=২৫°সি |
|
7.7 |
|
এমজে
|
| টিvj=১২৫°সি |
13.3 |
| টিvj=১৫০°সি |
14.0 |
|
ডায়োড থার্মাল রেসিস্ট্যান্স, জংশন কেস
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
কে / ডাব্লু
|
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
TJop |
|
-৪০
|
|
150
|
°C |
আউটপুট বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) আউটপুট চরিত্রগত (typical)
আমিসি= f (Vসিই) Iসি= f (Vসিই)
টিvj= ১৫০°সি
আইজিবিটি
স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ)
আমিসি= f (Vজেনেরিক) E = f (Rজি)
Vসিই= ২০ ভোল্টজেনেরিক= ±15V, Iসি= ৩০০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
আইজিবিটি আরবিএসওএ
পরিবর্তন ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ) বিপরীত পক্ষপাতিত্ব নিরাপদ কাজ করা এলাকা ((RBSOA)
E = f (Iসি) Iসি=f (Vসিই)
Vজেনেরিক= ±15V, Rজি= ১.৮Ω, ভিসিই= ৬০০ ভোল্টজেনেরিক= ±15V, Rগফ= ১.৮Ω, Tvj= ১৫০°সি
সাধারণ ধারণক্ষমতা যেমন a ফাংশন এর সংগ্রাহক-প্রেরক ভোল্টেজ গেট চার্জ (সাধারণ)
C = f (V)সিই) Vজেনেরিক= f (Qজি)
f = 100 kHz, Vজেনেরিক= 0V Iসি= ৩০০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
আইজিবিটি
আইজিবিটি ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন নাড়ি প্রস্থ বৈশিষ্ট্য এর ডায়োড (সাধারণ)
Zth ((j-c) = f (t) Iএফ= f (Vএফ)
স্যুইচিং ক্ষতি ডায়োড (সাধারণ) স্যুইচিংক্ষতি ডায়োড (সাধারণ)
ইরিচ= f (Rজি) Eরিচ= f (Iএফ)
আমিএফ= ৩০০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট আরজি= ১.৮Ω, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
ডায়োড ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়ি প্রস্থ
Zth ((j-c) = f (t)
একটি আইজিবিটি অর্ধ-ব্রিজ মডিউল একটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস যা অর্ধ-ব্রিজ কনফিগারেশনে সাজানো দুটি বিচ্ছিন্ন গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি) একত্রিত করে।এই কনফিগারেশনটি সাধারণত বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেখানে পাওয়ারের দ্বি-পন্থী নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন হয়আইজিবিটি অর্ধ-ব্রিজ মডিউল সম্পর্কে এখানে কিছু মূল পয়েন্ট রয়েছেঃ
1. আইজিবিটি: আইজিবিটি হল সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা উভয় বিচ্ছিন্ন গেট ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (আইজিএফইটি) এবং দ্বি-পোলার জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি) এর বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে।এগুলি বৈদ্যুতিক শক্তি স্যুইচ এবং নিয়ন্ত্রণের জন্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়.
2. অর্ধ-ব্রিজ কনফিগারেশনঃ অর্ধ-ব্রিজ কনফিগারেশনে দুটি আইজিবিটি রয়েছে যা একটি ব্রিজ সার্কিট গঠনের জন্য সিরিয়ায় সংযুক্ত।একটি আইজিবিটি ইনপুট তরঙ্গরূপের ইতিবাচক অর্ধ-চক্রের সময় পরিচালনার জন্য দায়ী, অন্যটি নেতিবাচক অর্ধ-চক্রের সময় পরিচালনা করে। এই বিন্যাসটি বর্তমানের দ্বি-পথে নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়।
3. ভোল্টেজ এবং বর্তমান রেটিংঃ আইজিবিটি অর্ধ-ব্রিজ মডিউলগুলি ভোল্টেজ এবং বর্তমান রেটিং সহ নির্দিষ্ট করা হয়। উদাহরণস্বরূপ, একটি সাধারণ রেটিং 1200V/300A হতে পারে,মডিউলটি সর্বোচ্চ ভোল্টেজ এবং বর্তমান পরিচালনা করতে পারে তা নির্দেশ করে.
4. অ্যাপ্লিকেশনঃ আইজিবিটি অর্ধ-ব্রিজ মডিউলগুলি মোটর ড্রাইভ, ইনভার্টার, পাওয়ার সাপ্লাই এবং অন্যান্য সিস্টেমে নিয়ন্ত্রিত পাওয়ার সুইচিংয়ের প্রয়োজন।এগুলি এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত যেখানে পরিবর্তনশীল গতি নিয়ন্ত্রণ বা পাওয়ার ইনভার্শন প্রয়োজন.
5. শীতল এবং তাপীয় ব্যবস্থাপনাঃ পৃথক আইজিবিটিগুলির মতো, আইজিবিটি অর্ধ-ব্রিজ মডিউলগুলি অপারেশনের সময় তাপ উত্পাদন করে। পর্যাপ্ত শীতল পদ্ধতি, যেমন হিটসিঙ্ক বা অন্যান্য তাপীয় ব্যবস্থাপনা সিস্টেম,ডিভাইসের সঠিক কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ.
6. গেট ড্রাইভ সার্কিট্রিঃ আইজিবিটিগুলির সুইচিং কার্যকরভাবে নিয়ন্ত্রণ করার জন্য সঠিক গেট ড্রাইভ সার্কিট্রি অপরিহার্য।এর মধ্যে গেট সংকেতগুলি যথাযথভাবে সময় নির্ধারণ করা এবং পর্যাপ্ত ভোল্টেজ স্তর রয়েছে তা নিশ্চিত করা অন্তর্ভুক্ত.
7. তথ্য পত্রঃ ব্যবহারকারীরা বিস্তারিত বিবরণ, বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য,এবং তাদের ব্যবহৃত আইজিবিটি সেমি-ব্রিজ মডিউলের জন্য নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন নির্দেশিকা.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
সার্কিট চিত্র শিরোনাম
প্যাকেজ রূপরেখা
মাত্রা (মিমি)
মিমি
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
