DS-SPS450B12G6M4-S04020021 ভি-১0. এইচ ব্রিজ মোসফেট মডিউল 1200V 450A ODM
সলিড পাওয়ার-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-10.
১২০০ ভোল্ট ৪৫০ এ আইজিবিটি অর্ধেক সেতু মডিউল
বৈশিষ্ট্যঃ
□ 1200 ভোল্ট ট্রেঞ্চ + ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি
□ দ্রুত এবং নরম রিভার্স রিকভারি সহ ফ্রিহুইলিং ডায়োড
□ Vসিই ((স্যাট)ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ
□ কম স্যুইচিং ক্ষতি
□ শর্ট সার্কিট
□ ইন্ডাক্টিভ হিটিং
□ ঢালাই
□ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশন
আইজিবিটি প্যাকেজ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
বিচ্ছিন্নতা পরীক্ষার ভোল্টেজ
|
ভিসোল |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 মিনিট |
4.0 |
কেভি |
|
মডিউল বেসপ্লেটের উপাদান
|
|
|
ক |
|
|
অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা
|
|
(ক্লাস ১, আইইসি ৬১১৪০)
বেসিক আইসোলেশন (ক্লাস 1, আইইসি 61140)
|
আল2ও3 |
|
|
সরে যাওয়ার দূরত্ব
|
ড্রিপ |
হিটসিঙ্ক টার্মিনাল |
29.0 |
মিমি |
| ড্রিপ |
টার্মিনালে টার্মিনালে |
23.0 |
|
ছাড়পত্র
|
dশুদ্ধ |
হিটসিঙ্ক টার্মিনাল |
23.0 |
মিমি |
| dশুদ্ধ |
টার্মিনালে টার্মিনালে |
11.0 |
|
তুলনামূলক ট্র্যাকিং সূচক
|
সিটিআই |
|
> ৪০০ |
|
| |
|
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
স্ট্রাইড ইন্ডাক্ট্যান্স মডিউল
|
আইএসসিই |
|
|
20 |
|
এনএইচ |
|
মডিউল সীসা প্রতিরোধের, টার্মিনাল - চিপ
|
আরসিসি+ইই |
|
টিসি=২৫°সি |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
সংরক্ষণের তাপমাত্রা
|
টিএসটিজি |
|
-৪০ |
|
125 |
°C |
|
মডিউল মাউন্ট করার জন্য মাউন্ট টর্ক
|
এম৫ |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
টার্মিনাল সংযোগ টর্ক
|
এম৬ |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
ওজন
|
জি |
|
|
320 |
|
জি |
আইজিবিটি সর্বোচ্চ রেটযুক্ত মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
সংগ্রাহক-নির্গতকারী ভোল্টেজ
|
ভিসিইএস |
|
টিvj=২৫°সি |
1200 |
V |
|
সর্বাধিক গেট-এমিটার ভোল্টেজ
|
ভিজিইএস |
|
±20 |
V |
|
গেইট-ইমিটার ভোল্টেজ
|
ভিজিইএস |
tপি≤10μs,D=0.01 |
±30 |
V |
|
ক্রমাগত ডিসি সংগ্রাহক বর্তমান
|
আমিসি |
|
টিসি=২৫°সি |
675 |
এ |
| টিসি=১০০°সি |
450 |
|
পলসড কলক্টর বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধjmax
|
আইসিপুলস |
|
900 |
এ |
|
শক্তি অপচয়
|
Ptot |
|
1875 |
ডব্লিউ |
বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
সংগ্রাহক-এমিটার স্যাচুরেশন ভোল্টেজ
|
ভিসিই (স্যাট) |
আমিসি=450A, Vজেনেরিক=১৫ ভি |
টিvj=২৫°সি |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| টিvj=১২৫°সি |
|
1.65 |
|
| টিvj=১৫০°সি |
|
1.70 |
|
|
গেট থ্রেশলেজ ভোল্টেজ
|
VGE (th) |
Vসিই=Vজেনেরিক, আমিসি=১৮ এমএ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
সংগ্রাহক-নির্গতকারী বন্ধ বর্তমান
|
আইসিইএস |
Vসিই=১২০০ ভোল্ট, ভিজেনেরিক=0V |
টিvj=২৫°সি |
|
|
100 |
μA |
| টিvj=১৫০°সি |
|
|
5 |
mA |
|
গেট-ইমিটার ফুটো প্রবাহ
|
আইজিইএস |
Vসিই=0V,Vজেনেরিক=±20V, Tvj=২৫°সি |
-২০০ |
|
200 |
nA |
|
গেট চার্জ
|
Qজি |
Vসিই=৬০০ ভোল্ট, আইসি=450A,Vজেনেরিক=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
ইনপুট ক্যাপাসিটি
|
সিইএস |
Vসিই=২৫ ভোল্ট, ভিজেনেরিক=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
আউটপুট ক্ষমতা
|
কোস |
|
2.84 |
|
|
বিপরীত স্থানান্তর ক্ষমতা
|
ক্রেস |
|
0.81 |
|
|
চালু করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
টিডি (অন) |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=450A Rজি=1.8Ω,
Vজেনেরিক=১৫ ভি
|
টিvj=২৫°সি |
|
168 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
172 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
176 |
|
এনএস |
|
উত্থান সময়, আনয়ন লোড
|
tr |
টিvj=২৫°সি |
|
80 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
88 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
92 |
|
এনএস |
|
বন্ধ করার বিলম্ব সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
টিডি (অফ) |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=450A Rজি=1.8Ω,
Vজেনেরিক=১৫ ভি
|
টিvj=২৫°সি |
|
624 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
668 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
672 |
|
এনএস |
|
পতনের সময়, ইন্ডাক্টিভ লোড
|
tএফ |
টিvj=২৫°সি |
|
216 |
|
এনএস |
| টিvj=১২৫°সি |
|
348 |
|
এনএস |
| টিvj=১৫০°সি |
|
356 |
|
এনএস |
|
টার্নিং এনার্জি লস প্রতি ইমপ্লান্ট
|
ইওন |
Vসিসি=৬০০ ভোল্ট,আইসি=450A Rজি=1.8Ω,
Vজেনেরিক=১৫ ভি
|
টিvj=২৫°সি |
|
17.2 |
|
এমজে |
| টিvj=১২৫°সি |
|
27.1 |
|
এমজে |
| টিvj=১৫০°সি |
|
30.0 |
|
এমজে |
|
প্রতি ধাক্কায় শক্তির ক্ষতি বন্ধ করুন
|
এফ |
টিvj=২৫°সি |
|
52.3 |
|
এমজে |
| টিvj=১২৫°সি |
|
64.3 |
|
এমজে |
| টিvj=১৫০°সি |
|
67.1 |
|
এমজে |
|
এসসি ডেটা
|
আইএসসি |
Vজেনেরিক≤15V, Vসিসি= ৮০০ ভোল্ট |
tp≤10μs Tvj=১৫০°সি |
|
|
2000 |
এ |
|
আইজিবিটি তাপীয় প্রতিরোধের,জংশন-কেস
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
কে / ডাব্লু |
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
TJop |
|
-৪০ |
|
150 |
°C |
ডায়োড সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
|
পুনরাবৃত্তিযোগ্য বিপরীত ভোল্টেজ
|
ভিআরআরএম |
|
টিvj=২৫°সি |
1200 |
V |
|
ধ্রুবক ডিসি সামনের প্রবাহ
|
আমিএফ |
|
450 |
এ
|
|
ডায়োড পালসড বর্তমান,tp T দ্বারা সীমাবদ্ধJmax
|
আইএফপুলস |
|
900 |
বৈশিষ্ট্য মূল্যবোধ
| পয়েন্ট |
প্রতীক |
শর্ত |
মূল্যবোধ |
ইউনিট |
| মিনিট। |
টাইপ। |
ম্যাক্স. |
|
সামনের ভোল্টেজ
|
Vএফ |
আমিএফ=450A,Vজেনেরিক=0V |
টিvj=২৫°সি |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| টিvj=১২৫°সি |
|
2.50 |
|
| টিvj=১৫০°সি |
|
2.50 |
|
|
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময়
|
trr |
আমিএফ=450A
ডিআইএফ/dt=-5600A/μs (T)vj=১৫০°সি) ভিR=৬০০ ভোল্ট,
Vজেনেরিক=-১৫ ভোল্ট
|
টিvj=২৫°সি |
|
134 |
|
এনএস
|
| টিvj=১২৫°সি |
216 |
| টিvj=১৫০°সি |
227 |
|
সর্বোচ্চ বিপরীত পুনরুদ্ধার বর্তমান
|
আইআরআরএম |
টিvj=২৫°সি |
|
317 |
|
এ
|
| টিvj=১২৫°সি |
376 |
| টিvj=১৫০°সি |
379 |
|
বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ
|
QRR |
টিvj=২৫°সি |
|
40.5 |
|
μC
|
| টিvj=১২৫°সি |
63.2 |
| টিvj=১৫০°সি |
65.4 |
|
পালস প্রতি বিপরীত পুনরুদ্ধার শক্তি ক্ষতি
|
ইরেক |
টিvj=২৫°সি |
|
15.9 |
|
এমজে
|
| টিvj=১২৫°সি |
27.0 |
| টিvj=১৫০°সি |
28.1 |
|
ডায়োড থার্মাল রেসিস্ট্যান্স, জংশন কেস
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
কে / ডাব্লু |
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
TJop |
|
-৪০ |
|
150 |
°C |
আউটপুট বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) আউটপুট চরিত্রগত (typical)
আমিসি= f (Vসিই) Iসি= f (Vসিই) টিvj= ১৫০°সি
আইজিবিটি
স্থানান্তর বৈশিষ্ট্যযুক্ত (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ)
আমিসি= f (Vজেনেরিক) E = f (Rজি)
Vসিই= ২০ ভোল্টজেনেরিক= ±15V, Iসি= ৪৫০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
আইজিবিটি আরবিএসওএ
পরিবর্তন ক্ষতি আইজিবিটি(সাধারণ) বিপরীত পক্ষপাতিত্ব নিরাপদ কাজ করা এলাকা ((RBSOA)
E = f (Iসি) Iসি=f (Vসিই)
Vজেনেরিক= ±15V, Rজি= ১.৮Ω, ভিসিই= ৬০০ ভোল্টজেনেরিক= ±15V, Rগফ= 3.3Ω, Tvj= ১৫০°সি
সাধারণ ধারণক্ষমতা যেমন a ফাংশন এর সংগ্রাহক-প্রেরক ভোল্টেজ গেট চার্জ(সাধারণ)
C = f (V)সিই) Vজেনেরিক= f (Qজি)
f = 100 kHz, Vজেনেরিক= 0V Iসি= ৪৫০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
আইজিবিটি
আইজিবিটি ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়ি প্রস্থ বৈশিষ্ট্য এর ডায়োড (সাধারণ)
Zth ((j-c) = f (t) Iএফ= f (Vএফ)
পরিবর্তন ক্ষতি ডায়োড (টাইপিকাল) স্যুইচিং ক্ষতি ডায়োড (সাধারণ)
ইরিচ= f (Rজি) Eরিচ= f (Iএফ)
আমিএফ= ৪৫০ এ, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট আরজি= ১.৮Ω, ভিসিই= ৬০০ ভোল্ট
ডায়োড ক্ষণস্থায়ী তাপীয় প্রতিরোধ যেমন a ফাংশন এর নাড়িপ্রস্থ
Zth ((j-c) = f (t)
একটি 1200 ভোল্ট আইজিবিটি (আইসোলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা 1200 ভোল্টের ভোল্টেজ রেট করে।এই ধরনের ডিভাইস সাধারণত উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশন যেমন পাওয়ার ইনভার্টার এবং মোটর ড্রাইভগুলিতে ব্যবহৃত হয়.
মূল পয়েন্ট:
1. ভোল্টেজ রেটিং (1200V): IGBT পরিচালনা করতে পারে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ নির্দেশ করে। উচ্চ ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশন জন্য উপযুক্ত,যেমন উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন মোটর ড্রাইভ এবং নিরবচ্ছিন্ন পাওয়ার সাপ্লাই.
2. অ্যাপ্লিকেশনঃ 1200 ভোল্ট আইজিবিটিগুলি শিল্প মোটর ড্রাইভ, অবিচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (ইউপিএস), পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম ইত্যাদির মতো উচ্চ-শক্তি ক্ষেত্রগুলিতে সাধারণ।যেখানে উচ্চ ভোল্টেজের সঠিক নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন.
3. সুইচিং গতিঃ আইজিবিটিগুলি দ্রুত চালু এবং বন্ধ করতে পারে, যা তাদের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিংয়ের প্রয়োজনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।বিশেষ সুইচিং বৈশিষ্ট্য মডেল এবং নির্মাতার উপর নির্ভর করে.
4. শীতল করার প্রয়োজনীয়তাঃ** অনেক পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসের মতো, আইজিবিটিগুলি অপারেশন চলাকালীন তাপ উত্পাদন করে। পর্যাপ্ত শীতল পদ্ধতি, যেমন হিটসিঙ্ক বা অন্যান্য তাপ পরিচালন সিস্টেম,প্রায়ই ডিভাইস কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করতে প্রয়োজন হয়.
5. তথ্য পত্রঃএকটি নির্দিষ্ট 1200V IGBT সম্পর্কে বিস্তারিত তথ্যের জন্য, নির্মাতার তথ্য পত্রের উল্লেখ করা অপরিহার্য। তথ্য পত্রটি ব্যাপক প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য প্রদান করে,বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য, এবং অ্যাপ্লিকেশন এবং তাপ ব্যবস্থাপনা জন্য নির্দেশিকা।
একটি সার্কিট বা সিস্টেমে একটি 1200V IGBT ব্যবহার করার সময়, ডিজাইনারদের গেট ড্রাইভ প্রয়োজনীয়তা, সুরক্ষা প্রক্রিয়া,সঠিক এবং নির্ভরযোগ্য অপারেশন নিশ্চিত করার জন্য তাপ বিবেচনা.
সার্কিট চিত্র শিরোনাম
প্যাকেজ রূপরেখা
মাত্রা (মিমি)
মিমি
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
