1600 ভোল্ট 180 এ 3-ফেজ অর্ধ-নিয়ন্ত্রিত + আইজিবিটি ব্রেকিং চ্যাপ্টার মডিউল-এসপিএস 180 আরসি 16 কে 2

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মূল্য

ইউনিট

বিপরীতমুখী পুনরাবৃত্তি শীর্ষ বিদ্যুৎ চাপ

শীর্ষ পুনরাবৃত্তি বিপরীত ভোল্টেজই

VRRM

টিvj=২৫°সি, আমিR=0.1mA

1600

V

সর্বোচ্চ ধ্রুবক সমান দিকের রুট বিদ্যুৎ প্রবাহ(প্রতিটি চিপ)

সর্বাধিক RMS সামনের স্রোত প্রতি চিপ

আমিFRMSM

টিসি= ৮০°সি, টিvj=১৫০°সি

150

এ

最大整流器 আউটপুট均方根電流

সর্বাধিক RMS বর্তমান সংশোধনকারী আউটপুট

আমিRMSM

টিসি=৮০°সি

180

এ

正向浪涌电流

এগিয়ে যাওবর্তমান

আমিএফএসএম

tপি=10ms, Tvj=২৫°সি

1300

এ

আমি2t-值

I2t-মান

আমি2t

tপি=10ms, Tvj=২৫°সি

8450

এ2s

চরিত্রএইচটিআইসি মান/ 特征 মান

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মিনিট। টাইপ. ম্যাক্স.

ইউনিট

সামনের দিকে বিদ্যুৎ চাপ

সামনের ভোল্টেজ

Vএফ

টিvj=২৫°সি, আমিএফ=১১০এ

1.051.20

V

বিদ্যুৎ চাপ

প্রান্তিক মান vপ্রাপ্তবয়স্ক

VTO

টিvj=১৫০°সি

0.80

V

斜率 বিদ্যুৎ প্রতিরোধ

ঢাল প্রতিরোধ

rটি

টিvj=১৫০°সি

2.40

mΩ

বিপরীতমুখী বিদ্যুৎ প্রবাহ

বিপরীত প্রবাহ

আমিR

টিvj=১৫০°সি, ভিR=১৬০০ ভোল্ট

2

mA

结- বহি 热阻

তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, juপ্রণয় মামলা

RthJC

প্রতি ডায়োড/ প্রত্যেকটি দ্বিতল নল

0.28

কে/ডাব্লু

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মূল্য

ইউনিট

বিপরীতমুখী পুনরাবৃত্তি শীর্ষ বিদ্যুৎ চাপ

শীর্ষ পুনরাবৃত্তি বিপরীত ভোল্টেজ

ভিআরআরএম

Tvj=২৫°C

1600

V

সর্বোচ্চ ধ্রুবক সমান দিকের রুট বিদ্যুৎ প্রবাহ(প্রতিটি চিপ)

সর্বাধিক RMS সামনের স্রোত প্রতি চিপ

আইএফআরএমএসএম

TC=80°C

150

এ

最大整流器 আউটপুট均方根電流

সর্বাধিক RMS বর্তমান সংশোধনকারী আউটপুট

আইআরএমএসএম

TC=80°C

180

এ

正向浪涌电流

সামনের প্রবাহ

আইএফএসএম

টিপি=10ms, Tvj=25°C

টিপি=10ms, Tvj=১৩০°C

1800

1450

এ

এ

১২টি -值

I2t-মান

১২টি

টিপি=10ms, Tvj=25°C

টিপি=10ms, Tvj=১৩০°C

16200

10510

A2s

A2s

লেনিক বিদ্যুৎ প্রবাহ সীমানা ঊর্ধ্বগতির হার

গুরুতর হারএর বৃদ্ধি চলমান অবস্থা বর্তমান

(di/dt) সিআর

টিভিজে = ১৩০°সি

100

A/μs

প্রবাহিত বিদ্যুৎ চাপের সীমা বৃদ্ধি হার

গুরুতর হার এর ইন-স্টেট ভোল্টেজের বৃদ্ধি

(di/dt) সিআর

টিভিজে = ১৩০ ডিগ্রি সেলসিয়াস Vডি=2/3VDRM

1000

V/μs

চরিত্রগত মূল্যবোধ/ 特征 মান

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মিনিট। টাইপ. ম্যাক্স.

ইউনিট

সামনের দিকে বিদ্যুৎ চাপ

সামনের ভোল্টেজ

ভিটিএম

টিভিজে = ১৩০ ডিগ্রি সেলসিয়াস, আমিটি = 110 এ

1.30

V

বিদ্যুৎ চাপ

প্রান্তিক ভোল্টেজ

V ((TO)

Tvj=১৩০°C

0.90

V

斜率 বিদ্যুৎ প্রতিরোধ

ঢাল প্রতিরোধ

rT

Tvj=১৩০°C

3.20

mΩ

门极触发电流

গেট ট্রিগার বর্তমান

আইজিটি

টিভিজে=২৫°সি, ভিডি=১২ ভি, RL=30Ω

100

mA

门极 টাক্স ইলেকট্রিক চাপ

গেট ট্রিগার ভোল্টেজ

ভিজিটি

টিভিজে=২৫°সি, ভিD=6V

2.00

V

门极不触发电流 门极 অস্পৃশ্য বৈদ্যুতিক প্রবাহ

গেট অ-ট্রিগার বর্তমান

আইজিডি

টিভিজে=১৩০°সি, ভিD=6V

টিভিজে=১৩০°সি, ভিডি=০.৫ ভিডিআরএম

6.0

3.0

mA

mA

门极不触发电压

গেট ট্রিগার ভোল্টেজ নয়

ভিজিডি

টিভিজে=১৩০°সি, ভিডি=ভিডিআরএম

0.25

V

বিদ্যুৎ প্রবাহ বজায় রাখা

হোল্ডিং বর্তমান

আইএইচ

টিভিজে=২৫°সি, আমিটি=1A

250

mA

擎住电流

লকিং বর্তমান

আইএল

টিভিজে=২৫°সি, আমিজি=1.2IGT

300

mA

门极 নিয়ন্ত্রণ বিলম্ব সময়

গেট নিয়ন্ত্রিত বিলম্ব সময়

tgd

ডিআইএন আইইসি ৭৪৭-৬

টিভিজে=২৫°সি, iজিএম=০.৬এ, ডিজি/dt=0.6A/μs

1.2

μs

换流关断时间

সার্কিট সুইচ অফের সময়

টাক্

টিভিজে = ১৩০ ডিগ্রি সেলসিয়াস iটিএম = ৫০ এ

ভিআরএম = ১০০ ভোল্ট, Vডিএম= ২/৩ ভিডিআরএম

ডিভিডি/dt = ২০ ভোল্ট/মাইক্রো সেকেন্ড, -ডিটি/dt = ১০ এ/এমএস

150

μs

বিপরীতমুখী বিদ্যুৎ প্রবাহ

বিপরীত প্রবাহ

আইআর

আইডি

টিভিজে=১২৫°সি, ভিR=1600V

20

mA

结- বহি 热阻

তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, juপ্রণয় মামলা

RthJC

থাইরিস্টর প্রতি প্রতিটা ক্রিস্টাল টিউব

0.24

কে/ডাব্লু

আইজিবিটি ব্রেক-হিকপার/ আইজিবিটি制动-√ √ √ √ √

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্য/ সর্বোচ্চ পরিমাণ值

连续集电极直流电流আমিসি নামটিসি= ৮০°সি, টিvj=১৭৫°সি১০০ এ

অবিচ্ছিন্ন ডিসি সংগ্রাহক বর্তমানআমিসিটিসি=২৫°সি, টিvj=১৭৫°সি ১৪০ এ

开通延延时间(বিদ্যুতের ভার)

চালু করুন বিলম্ব সময়, অনুঘটক লোড

টিডি( উপর) টিvj=25°C 125 μs

上升时间(বিদ্যুতের ভার)

উঠার সময়, অনুঘটক লোড

tr

Tvj=২৫°C

30

μs

关断延迟时间(বিদ্যুতের ভার)

বন্ধ হওয়ার সময়, অনুঘটক লোড

টিডি(বন্ধ)

আইসি=১০০এ, ভিসিই=৬০০ ভোল্ট

VGE=±15V

Tvj=২৫°C

300

μs

下降时间(বিদ্যুতের ভার)

পতনের সময়, অনুঘটক লোড

টিএফ

RGon=1.5 Ω

RGoff=1.5 Ω

Tvj=২৫°C

165

μs

开通损耗能量(প্রতিধ্বনি)

চালু করুন শক্তি ক্ষতি প্রতি নাড়ি

ইওন

Tvj=২৫°C

2.4

এমজে

关断损耗能量(প্রতি পালস)

বন্ধ করার শক্তি ক্ষতি প্রতি নাড়ি

এফ

Tvj=২৫°C

7.5

এমজে

এ

কে/ডাব্লু

短路数据

এস সি তথ্য

আইএসসি

ভিজিই≤15V, Vসিসি=৮০০ ভোল্ট

VCEmax=Vসিইএস- আমিএস সি ই·ডি/ডট, টপি=10μs, Tvj=১৫০°C

360

结- বহি 热阻

তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, juপ্রণয় মামলা

RthJC

প্রতি IGBT / প্রত্যেকটা আইজিবিটি

0.25

ডায়োড, ব্রাকে-চ্যাপার/ 

সর্বাধিক রেটযুক্ত মূল্য/

বিপরীতমুখী পুনরুদ্ধারের শীর্ষ বিদ্যুৎ প্রবাহ

শীর্ষ বিপরীত পুনরুদ্ধার সিভাড়া

আমিআরএমটিvj=১৫০°সি৫০ এ

প্রত্যক্ষ পুনরুদ্ধার সময়

পেছনে পুনরুদ্ধারের সময়

টিrr

আমিএফ=৫০ এ

ডিএফ/dtবন্ধ=1300A/μs

টিvj=১৫০°সি

380

এনএস

恢复电荷

পেছনে পুনরুদ্ধার chআর্ক

Qr

VR = 600 V

Vজেনেরিক=-১৫ ভোল্ট

টিvj=১৫০°সি

8

μC

বিপরীতমুখী পুনরুদ্ধারের ক্ষতি (প্রতিটি ধাক্কা)

পেছনে পুনরুদ্ধার শক্তি (প্রতি নাড়ি)

ইরিচ

টিvj=১৫০°সি

3.5

এমজে

0.70কে/ডাব্লু

结- বহি 热阻

তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, juপ্রণয় মামলা

RthJC

প্রতি ডায়োড/ প্রত্যেকটি দ্বিতল নল

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মূল্য

ইউনিট

绝缘 পরীক্ষামূলক চাপ

বিচ্ছিন্নতাপরীক্ষার ভোল্টেজ

Vআইএসওএল

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

কেভি

模块基板材料

উপাদান মডিউল বেসপ্লেট

ক

অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা

অভ্যন্তরীণ বিচ্ছিন্নতা

基本绝缘(শ্রেণী) 1, আমিইসি ৬১১৪০)

বেসিক বিচ্ছিন্নতা (শ্রেণী) 1, আইইসি ৬১১৪০)

আল2ও3

爬电 দূরত্ব

ক্রীপিং disট্যান্স

端子-散热片/ টার্মিনাল to হিটসিঙ্ক

端子-端子টার্মিনাল থেকে টার্মিনালমিনাল

10.0

মিমি

电气间隙

ছাড়পত্র

端子-散热片/ টার্মিনাল to হিটসিঙ্ক

端子-端子টার্মিনাল থেকে টার্মিনালমিনাল

7.5

মিমি

তুলনামূলক ইলেকট্রিক চিহ্ন সূচক

তুলনামূলকট্র্যাকিং সূচক

সিটিআই

> 200

পয়েন্ট

প্রতীক

শর্ত

মিনিট।

টাইপ।

ম্যাক্স.

ইউনিট

杂散电感,模块

পথভ্রষ্ট ইন্ডাক্ট্যান্স মডিউল

এলএস সি ই

50

এনএইচ

সর্বোচ্চ হিমশীতলতা

সর্বাধিক জংশনn তাপমাত্রা

টিvj ((max)

逆变器, 制动-√ √ √ √ √ইনভার্টার, ব্রেক-চপার整流器/সংশোধনকারী

175

125

°C

°C

ইনঅপারেটেড অবস্থাতে তাপমাত্রা

তাপমাত্রা এবংস্যুইচিং শর্ত

টিvj(op)

逆变器, 制动-√ √ √ √ √ইনভার্টার, ব্রেক-চপার整流器/সংশোধনকারী

-৪০

-৪০

150

125

°C

°C

সঞ্চয় তাপমাত্রা

সঞ্চয়স্থলপ্রস্রাব

টিএসটিজি

-৪০

125

°C

模块安装的安装扭距

মাউন্ট টরকি জন্য মডিউল মাউন্ট

এম

3.00

6.00

Nm

ওজন

ওজন

জি

180

জি